耗散功率 550W Tc
漏源极电压Vds 55 V
输入电容Ciss 9700pF @25VVds
耗散功率Max 550W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTQ280N055T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 55V 280A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTQ280N055T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 280A 3Pin3+Tab TO-3P | 当前型号 | |
型号: IXTQ240N055T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 55V 240A 3Pin3+Tab TO-3P | IXTQ280N055T和IXTQ240N055T的区别 | |
型号: IXTH260N055T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 55V 260A 3Pin3+Tab TO-247 | IXTQ280N055T和IXTH260N055T2的区别 | |
型号: IXTA260N055T2-7 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263-7 | 功能相似 | Mosfet n-Ch 55V 260A To-263 | IXTQ280N055T和IXTA260N055T2-7的区别 |