IXTL2X200N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTL2X200N085T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 85 V
连续漏极电流Ids 112A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 64 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
外形尺寸
长度 20.29 mm
宽度 5.21 mm
高度 26.42 mm
封装 ISOPLUS-i4-PAK-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTL2X200N085T引脚图与封装图
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