IPU04N03LA
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPU04N03LA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 A
极性 N-CH
耗散功率 115W Tc
输入电容 5.20 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
输入电容Ciss 5199pF @15VVds
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IPU04N03LA引脚图与封装图
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在线购买IPU04N03LA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPU04N03LA | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPU04N03LA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPU04N03LA 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-251 N-CH 25V 50A 5.2nF | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPU039N03LGXK 品牌： 英飞凌 封装： TO-251 N-CH 30V 50A | 类似代替 | TO-251 N-CH 30V 50A | IPU04N03LA和IPU039N03LGXK的区别 |
| 型号： IPU04N03LAG 品牌： 英飞凌 封装： TO-251AA 25V 50A 5.2nF | 功能相似 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor | IPU04N03LA和IPU04N03LAG的区别 |