IXTQ200N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ200N085T中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 85 V
输入电容Ciss 7600pF @25VVds
额定功率Max 480 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ200N085T引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXTQ200N085T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 85V 200A 3Pin3+Tab TO-3P | 搜索库存 |