
额定电压DC 100 V
额定电流 8.40 A
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 32W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 8.40 A
输入电容Ciss 480pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 32W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFU120ATU | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道 100V 8.4A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFU120ATU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-251-3 N-Channel 100V 8.4A 200mohms | 当前型号 | N沟道 100V 8.4A | 当前型号 | |
型号: IRFU120PBF 品牌: 威世 封装: TO-251-3 N-Channel 100V 7.7A 270mΩ | 功能相似 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V | IRFU120ATU和IRFU120PBF的区别 | |
型号: IRFU120A 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFU120ATU和IRFU120A的区别 |