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IRFU120ATU

IRFU120ATU

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道 100V 8.4A

N-Channel 100V 8.4A Tc 2.5W Ta, 32W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK


立创商城:
N沟道 100V 8.4A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin3+Tab IPAK Rail


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.4A 3-Pin 3+Tab IPAK Rail


IRFU120ATU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 8.40 A

漏源极电阻 200 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 32W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 8.40 A

输入电容Ciss 480pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 32W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFU120ATU引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFU120ATU Fairchild 飞兆/仙童 N沟道 100V 8.4A 搜索库存
替代型号IRFU120ATU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFU120ATU

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-251-3 N-Channel 100V 8.4A 200mohms

当前型号

N沟道 100V 8.4A

当前型号

型号: IRFU120PBF

品牌: 威世

封装: TO-251-3 N-Channel 100V 7.7A 270mΩ

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

IRFU120ATU和IRFU120PBF的区别

型号: IRFU120A

品牌: 飞兆/仙童

封装:

功能相似

先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

IRFU120ATU和IRFU120A的区别