IRFS730B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFS730B中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 830 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
漏源极电压Vds 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 55 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFS730B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFS730B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFS730B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220F N-Channel 400V 5.5A 830mohms | 当前型号 | 400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFS730B和STP55NF06的区别 |
| 型号： STP60NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 60A 16mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V | IRFS730B和STP60NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFS730B和STW20NK50Z的区别 |