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IRL630A
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET

FEATURES

♦Logic-Level Gate Drive

♦Avalanche Rugged Technology

♦Rugged Gate Oxide Technology

♦Lower Input Capacitance

♦Improved Gate Charge

♦Extended Safe Operating Area

♦Lower Leakage Current: 10µA Max. @ VDS= 100V

♦Lower RDSON: 0.336ΩTyp.


贸泽:
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
Advanced Power MOSFET


IRL630A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 9.00 A

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 755pF @25VVds

额定功率Max 69 W

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 69W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRL630A引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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