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IRFZ34NS
International Rectifier 国际整流器 分立器件

Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3Pin 2+Tab D2PAK

Description

Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

l Advanced Process Technology

l Surface Mount

l Low-profile through-hole IRFZ34NL

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

IRFZ34NS中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 29.0 A

漏源极电阻 40.0 mΩ max

极性 N-Channel

耗散功率 68.0 W

产品系列 IRFZ34NS

漏源极电压Vds 55.0 V

漏源击穿电压 55.0V min

连续漏极电流Ids 29.0 A

上升时间 49.0 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFZ34NS引脚图与封装图
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IRFZ34NS International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3Pin 2+Tab D2PAK 搜索库存
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型号: IRFZ34NS

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: D²Pak N-Channel 55V 29A 40mohms

当前型号

Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3Pin 2+Tab D2PAK

当前型号

型号: STB36NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 60V 30A 660pF

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB36NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 V

IRFZ34NS和STB36NF06LT4的区别