IXTV110N25TS
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTV110N25TS中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 694W Tc
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
耗散功率Max 694W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PLUS-220SMD
外形尺寸
封装 PLUS-220SMD
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTV110N25TS引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTV110N25TS
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTV110N25TS | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 搜索库存 |
替代型号IXTV110N25TS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTV110N25TS 品牌： IXYS Semiconductor 封装： PLUS-220SMD | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3Pin2+Tab PLUS220 SMD | 当前型号 |
| 型号： IXTH110N25T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 250V 110A | 类似代替 | TO-247AD N-CH 250V 110A | IXTV110N25TS和IXTH110N25T的区别 |
| 型号： IXFH110N25T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 250V 110A | 类似代替 | N沟道 250V 110A | IXTV110N25TS和IXFH110N25T的区别 |
| 型号： IXTK120N25P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-264-3 N-Channel 120A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTK120N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 120 A, 250 V, 24 mohm, 10 V, 5 V | IXTV110N25TS和IXTK120N25P的区别 |