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IXFH80N10
IXYS Semiconductor 分立器件

TO-247AD N-CH 100V 80A

N-Channel 100V 80A Tc Through Hole TO-247AD IXFH


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247AD


贸泽:
MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
HiPerFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 80A TO-247


IXFH80N10中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 63 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFH80N10引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
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替代型号IXFH80N10
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFH80N10

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247AD N-CH 100V 80A

当前型号

TO-247AD N-CH 100V 80A

当前型号

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