极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 4800pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFH80N10 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247AD N-CH 100V 80A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 100V 80A | 当前型号 | |
型号: IXFT80N10 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268-2 N-CH | 类似代替 | TO-268 N-CH 100V 80A | IXFH80N10和IXFT80N10的区别 | |
型号: IPB70N10S3L-12 品牌: 英飞凌 封装: TO-252-3 N-CH 100V 70A | 功能相似 | Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品(符合 RoHS 标准) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | IXFH80N10和IPB70N10S3L-12的区别 | |
型号: IXTP80N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 | 功能相似 | IXTP80N10T 管装 | IXFH80N10和IXTP80N10T的区别 |