IRFH5304TR2PBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRFH5304TR2PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.6 W
漏源极电阻 3.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 46 W
产品系列 IRFH5304
阈值电压 2.35 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 79.0 A
输入电容Ciss 2360pF @10VVds
额定功率Max 3.6 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VQFN-8
外形尺寸
封装 VQFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
IRFH5304TR2PBF引脚图与封装图
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在线购买IRFH5304TR2PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFH5304TR2PBF | International Rectifier 国际整流器 | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | 搜索库存 |
替代型号IRFH5304TR2PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFH5304TR2PBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： 8-VQFN N-Channel 30V 79A | 当前型号 | MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN | 当前型号 |
| 型号： STL90N3LLH6 品牌： 意法半导体 封装： Power N-Channel 30V 90A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IRFH5304TR2PBF和STL90N3LLH6的区别 |