额定功率 210 W
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
产品系列 IRL3716S
漏源极电压Vds 20.0 V
连续漏极电流Ids 180 A
封装 D2PAK-263
封装 D2PAK-263
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRL3716SPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 20V 180A 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRL3716SPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: D²Pak N-Channel 20V 180A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 20V 180A 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 | |
型号: STB80NF03L-04T4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | N沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFET | IRL3716SPBF和STB80NF03L-04T4的区别 | |
型号: STB95N3LLH6 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 30V 80A | 功能相似 | N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。 | IRL3716SPBF和STB95N3LLH6的区别 |