IXTC180N085T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTC180N085T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 150W Tc
漏源极电压Vds 85 V
连续漏极电流Ids 110A
输入电容Ciss 8800pF @25VVds
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTC180N085T引脚图与封装图
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