IXTQ200N075T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ200N075T中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 430 W
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 6800pF @25VVds
额定功率Max 430 W
下降时间 52 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ200N075T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ200N075T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ200N075T | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 75V 200A | 搜索库存 |
替代型号IXTQ200N075T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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