ISL9N302AS3ST

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

N-Channel 30V 75A Tc 345W Tc Surface Mount D²PAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

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N沟道 30V 75A

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Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin2+Tab TO-263AB T/R

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MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

ISL9N302AS3ST中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 75.0 A

漏源极电阻 1.90 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 345W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

输入电容Ciss 11000pF @15VVds

额定功率Max 345 W

耗散功率Max 345W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ISL9N302AS3ST引脚图与封装图

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