ISL9N303AS3

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET的30V ， 75A ， 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз

N-Channel 30V 75A Tc 215W Tc Through Hole I2PAK TO-262

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N沟道 30V 75A

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MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK

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Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube

ISL9N303AS3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 75.0 A

漏源极电阻 2.60 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 215W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

输入电容Ciss 7000pF @15VVds

额定功率Max 215 W

耗散功率Max 215W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

ISL9N303AS3引脚图与封装图

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ISL9N303AS3	Fairchild 飞兆/仙童	N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET的30V ， 75A ， 3.2mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 3.2mз	搜索库存