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IXTC220N075T

IXTC220N075T

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 75V 115A

N-Channel 75 V 115A Tc 150W Tc Through Hole ISOPLUS220™


得捷:
MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220


贸泽:
MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 75V 115A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


IXTC220N075T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 75 V

漏源击穿电压 75 V

连续漏极电流Ids 115A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 7700pF @25VVds

下降时间 47 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 5 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTC220N075T引脚图与封装图
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