IRFR110ATF
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFR110ATF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.70 A
上升时间 14 ns
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFR110ATF引脚图与封装图
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在线购买IRFR110ATF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR110ATF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRFR110ATF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR110ATF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 4.7A 400mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 4.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRFR110ATM 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK N-Channel 100V 4.7A 400mohms | 功能相似 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFR110ATF和IRFR110ATM的区别 |
| 型号： IRFR110A 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFR110ATF和IRFR110A的区别 |