IRFM110ATF
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFM110ATF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 400 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFM110ATF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRFM110ATF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFM110ATF | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号IRFM110ATF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFM110ATF 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-223 N-Channel 100V 1.5A 400mohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： IRLM110A 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 类似代替 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFM110ATF和IRLM110A的区别 |
| 型号： IRFM110A 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | IRFM110ATF和IRFM110A的区别 |