IKU10N60RBKMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-251

IGBT Trench 600V 20A 150W Through Hole PG-TO251-3

得捷:
IGBT 600V 20A 150W TO251-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW 3-Pin3+Tab TO-251

Chip1Stop:
Trans IGBT Module N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-251

IKU10N60RBKMA1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 62 ns

额定功率Max 150 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IKU10N60RBKMA1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IKU10N60RBKMA1

型号	制造商	描述	购买
IKU10N60RBKMA1	Infineon 英飞凌	Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-251	搜索库存