ITC1100
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
ITC1100中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3400 W
击穿电压集电极-发射极 65 V
增益 10dB ~ 10.5dB
最小电流放大倍数hFE 10 @5A, 5V
额定功率Max 3400 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3400000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 3
封装 SW-55
外形尺寸
高度 4.57 mm
封装 SW-55
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ITC1100引脚图与封装图
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