IXBOD1-12R
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IXYS Semiconductor
主动器件
IXBOD1-12R中文资料参数规格
技术参数
额定电流 1.25 A
电路数 2
保持电流Max 30 mA
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 BOD-2
外形尺寸
高度 19 mm
封装 BOD-2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 高电压
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBOD1-12R引脚图与封装图
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在线购买IXBOD1-12R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXBOD1-12R | IXYS Semiconductor | IXBOD1 系列 1200 V 0.9 A 高压 通孔 单通道 击穿二极管 | 搜索库存 |
替代型号IXBOD1-12R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXBOD1-12R 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Radial | 当前型号 | IXBOD1 系列 1200 V 0.9 A 高压 通孔 单通道 击穿二极管 | 当前型号 |
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| 型号： IXBOD1-17RD 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 完全替代 | IXBOD1 系列 1700 V 0.9 A 高压 通孔 单通道 击穿二极管 | IXBOD1-12R和IXBOD1-17RD的区别 |
| 型号： IXBOD1-10 品牌： IXYS Semiconductor 封装： Radial | 功能相似 | IXBOD1 系列 1000 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管 | IXBOD1-12R和IXBOD1-10的区别 |