IXYX40N450HV
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IXYS Semiconductor
电子元器件分类
IXYX40N450HV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 660000 mW
击穿电压集电极-发射极 4500 V
额定功率Max 660 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 660000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXYX40N450HV引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXYX40N450HV | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 4500V 95A 660000mW | 搜索库存 |