IXFN48N50U2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN48N50U2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 520W Tc
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 8400pF @25VVds
额定功率Max 520 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 520W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN48N50U2引脚图与封装图
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在线购买IXFN48N50U2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN48N50U2 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |
替代型号IXFN48N50U2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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