IXFH14N100
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH14N100中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 1000 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH14N100引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFH14N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH14N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 14A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXFH14N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH14N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 14A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
| 型号： IXFH14N100Q2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 1000V 14A | 类似代替 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH14N100Q2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 1 kV, 900 mohm, 10 V, 5 V | IXFH14N100和IXFH14N100Q2的区别 |
| 型号： IXFH14N100Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： | 功能相似 | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD | IXFH14N100和IXFH14N100Q的区别 |