IXFN100N10S3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 360W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 100A
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXFN100N10S3 | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 100V 100A | 搜索库存 |