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IDW40G120C5BFKSA1

IDW40G120C5BFKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IDW40G120C5BFKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Series, 共阴极, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247 新

IDW40G120C5B, SP001020714


得捷:
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3


欧时:
Infineon IDW40G120C5BFKSA1


立创商城:
1.2kV 55A 1.65V@20A


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ Series, 共阴极, 1.2 kV, 110 A, 202 nC, TO-247


艾睿:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2x20A; 402W; Ir:23uA


Verical:
Rectifier Diode Schottky 1.2KV 110A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IDW40G120C5BFKSA1  SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE, 1.2KV New


Win Source:
DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3


IDW40G120C5BFKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 402 W

正向电压 1.4 V

耗散功率 402 W

正向电流 110 A

正向电压Max 1.65V @20A

正向电流Max 110 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 402000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IDW40G120C5BFKSA1引脚图与封装图
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