IXGK100N170
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 830000 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 830000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGK100N170 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |