IXFH32N50Q
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH32N50Q中文资料参数规格
技术参数
额定功率 416 W
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 416 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 4925pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
宽度 5.3 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH32N50Q引脚图与封装图
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在线购买IXFH32N50Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH32N50Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 500V 32A | 搜索库存 |
替代型号IXFH32N50Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH32N50Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 500V 32A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 500V 32A | 当前型号 |
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