IXFT13N100
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFT13N100中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 13.0 A
漏源极电阻 1.05 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 12.5 A
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube, Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFT13N100引脚图与封装图
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在线购买IXFT13N100
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFT13N100 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 1kV 12.5A 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXFT13N100
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFT13N100 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268 N-Channel 1kV 12.5A 1.05ohms | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 1kV 12.5A 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： APT10086SVRG 品牌： 美高森美 封装： D3PAK N-CH 1kV 13A 4.44nF | 功能相似 | D3PAK N-CH 1000V 13A | IXFT13N100和APT10086SVRG的区别 |