IXFH13N80Q
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH13N80Q中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 13A
输入电容Ciss 3250pF @25VVds
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFH13N80Q引脚图与封装图
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在线购买IXFH13N80Q
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH13N80Q | IXYS Semiconductor | TO-247AD N-CH 800V 13A | 搜索库存 |
替代型号IXFH13N80Q
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH13N80Q 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 800V 13A | 当前型号 | TO-247AD N-CH 800V 13A | 当前型号 |
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| 型号： FDH44N50 品牌： 安森美 封装： TO-247-3 | 功能相似 | ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装 | IXFH13N80Q和FDH44N50的区别 |