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IXBOD1-09
IXYS Semiconductor 分立器件

IXBOD1 系列 900 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管

Look no further than this scr thyristor manufactured from Ixys Corporation for a bistable switch being controlled by an impulse current. This device has a surge current rating of 200@Ta=50C A. This SCR thyristor has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.


得捷:
IC SGL DIODE BOD 0.9A 900V FP


贸泽:
高压触发二极管 1 Amps 900V


艾睿:
Thyristor SCR 200A 2-Pin Case FP


IXBOD1-09中文资料参数规格
技术参数

电路数 1

保持电流Max 30 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 FP-2

外形尺寸

封装 FP-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 高电压

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXBOD1-09引脚图与封装图
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IXBOD1-09 IXYS Semiconductor IXBOD1 系列 900 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管 搜索库存
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型号: IXBOD1-09

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Radial

当前型号

IXBOD1 系列 900 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管

当前型号

型号: IXBOD1-10

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Radial

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IXBOD1 系列 1000 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管

IXBOD1-09和IXBOD1-10的区别

型号: IXBOD1-08

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Radial

完全替代

IXBOD1 系列 800 V 0.9 A 高压 通孔 单 击穿 二极管

IXBOD1-09和IXBOD1-08的区别

型号: IXBOD1-06

品牌: IXYS Semiconductor

封装: Radial

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IXBOD1 系列 600 V 0.9 A 高压 通孔 单通道 击穿二极管

IXBOD1-09和IXBOD1-06的区别