IXKC13N80C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 130000 mW
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 2300pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXKC13N80C | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 800V 13A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXKC13N80C 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOPLUS N-CH 800V 13A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 800V 13A | 当前型号 | |
型号: SPA04N80C3 品牌: 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 800V 4A | 功能相似 | INFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V | IXKC13N80C和SPA04N80C3的区别 |