IRLML6401TR

IRLML6401TR P沟道MOS场效应管 -430mA 0.050ohm SOT-23 marking/标记 F1/F3/F4/F5/F6/FB/FE 超低导通电阻 薄型封装

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -430mA/-0.43A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.050Ω @-4.3A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.40--0.95V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile <1.1mm Available in Tape and Reel 描述与应用| 超低导通电阻 P沟道MOSFET SOT-23的脚印 薄型（高度<1.1mm） 可在磁带和卷轴

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R