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IXTV36N50P

IXTV36N50P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel 500V 36A Tc 540W Tc Through Hole PLUS220


得捷:
MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin3+Tab PLUS 220


IXTV36N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 36.0 A

耗散功率 540W Tc

输入电容 5.50 nF

栅电荷 85.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTV36N50P引脚图与封装图
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