IXFC36N50P

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220

通孔 N 通道 19A（Tc） 156W（Tc） ISOPLUS220™

得捷:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220

IXFC36N50P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 36.0 A

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 156W Tc

输入电容 5.50 nF

栅电荷 93.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 19.0 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFC36N50P引脚图与封装图

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