IXTH88N15
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTH88N15中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 400W Tc
漏源极电压Vds 150 V
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTH88N15引脚图与封装图
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在线购买IXTH88N15
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH88N15 | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |
替代型号IXTH88N15
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTH88N15 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin3+Tab TO-247AD | 当前型号 |
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| 型号： IXTT88N15 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 150V 88A 3Pin2+Tab TO-268 | IXTH88N15和IXTT88N15的区别 |