IXTC200N10T
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTC200N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 160 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 101A
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
额定功率Max 160 W
耗散功率Max 160W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTC200N10T引脚图与封装图
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