IXFC22N60P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFC22N60P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 360 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130W Tc
输入电容 4.00 nF
栅电荷 58.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
输入电容Ciss 4000pF @25VVds
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-220
外形尺寸
封装 ISOPLUS-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFC22N60P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXFC22N60P | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3Pin3+Tab ISOPLUS 220 | 搜索库存 |