IKW50N65H5AXKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3

得捷:
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

富昌:
IKW50N65H5A Series 650 V 50 A 270 W TRENCHSTOPTM IGBT - PG-TO-247-3

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube

IKW50N65H5AXKSA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 270000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 58 ns

额定功率Max 270 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 270000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKW50N65H5AXKSA1引脚图与封装图

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