IKW50N65F5AXKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IKW50N65F5AXKSA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 270 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 77 ns
额定功率Max 270 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 270000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IKW50N65F5AXKSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IKW50N65F5AXKSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 搜索库存 |
替代型号IKW50N65F5AXKSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IKW50N65F5AXKSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-247-3 270000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247 Tube | 当前型号 |
| 型号： AIKW50N65DF5XKSA1 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 引脚 | IKW50N65F5AXKSA1和AIKW50N65DF5XKSA1的区别 |