通道数 1
漏源极电阻 5.5 mΩ
耗散功率 550 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 9400pF @25VVds
额定功率Max 550 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 550W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 11 mm
宽度 4.7 mm
高度 15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTV200N10T | IXYS Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTV200N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220 | 当前型号 | |
型号: IXTH200N10T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 类似代替 | N沟道 100V 200A | IXTV200N10T和IXTH200N10T的区别 | |
型号: IXFA180N10T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263AA-3 N-CH 100V 180A | 功能相似 | TO-263AA N-CH 100V 180A | IXTV200N10T和IXFA180N10T2的区别 | |
型号: IXFP180N10T2 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 N-CH 100V 180A | 功能相似 | N沟道 100V 180A | IXTV200N10T和IXFP180N10T2的区别 |