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IXTV200N10T

IXTV200N10T

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220

N-Channel 100V 200A Tc 550W Tc Through Hole PLUS220


得捷:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220


贸泽:
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin3+Tab PLUS 220


IXTV200N10T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.5 mΩ

耗散功率 550 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 9400pF @25VVds

额定功率Max 550 W

下降时间 34 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 550W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 4.7 mm

高度 15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTV200N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTV200N10T
型号 制造商 描述 购买
IXTV200N10T IXYS Semiconductor Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220 搜索库存
替代型号IXTV200N10T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTV200N10T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

当前型号

Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin3+Tab PLUS 220

当前型号

型号: IXTH200N10T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

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