IXFC52N30P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFC52N30P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 100 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 300 V
漏源击穿电压 300 V
连续漏极电流Ids 24A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3490pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFC52N30P引脚图与封装图
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