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IXFC14N80P

IXFC14N80P

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

ISOPLUS N-CH 800V 8A

N-Channel 800V 8A Tc 130W Tc Through Hole ISOPLUS220™


得捷:
MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 220


IXFC14N80P中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 130W Tc

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 8A

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-220

外形尺寸

封装 ISOPLUS-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXFC14N80P引脚图与封装图
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