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IPL65R099C7AUMA1

IPL65R099C7AUMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V

表面贴装型 N 通道 650 V 21A(Tc) 128W(Tc) PG-VSON-4


立创商城:
IPL65R099C7AUMA1


得捷:
MOSFET N-CH 650V 21A VSON-4


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MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 21A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 21A 5-Pin VSON T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4


IPL65R099C7AUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 128 W

针脚数 4

漏源极电阻 0.088 Ω

极性 N-CH

耗散功率 128 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2140pF @400VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 128W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPL65R099C7AUMA1引脚图与封装图
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IPL65R099C7AUMA1 Infineon 英飞凌 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 650 V, 0.088 ohm, 10 V, 3.5 V 搜索库存