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IRF7341
International Rectifier 国际整流器 晶体管

Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8Pin SOIC

Description

Fifth Generation HEXFETs from utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

l Generation V Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dual N-Channel Mosfet

l Surface Mount

l Available in Tape & Reel

l Dynamic dv/dt Rating

l Fast Switching

IRF7341中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 4.70 A

耗散功率 2 W

产品系列 IRF7341

漏源极电压Vds 55.0 V

连续漏极电流Ids 4.70 A

上升时间 3.20 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7341引脚图与封装图
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型号: IRF7341

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: SOIC 55V 4.7A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8Pin SOIC

当前型号

型号: STS4DNF60L

品牌: 意法半导体

封装: SOIC N-Channel 60V 4A 55mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STS4DNF60L  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V

IRF7341和STS4DNF60L的区别

型号: AO4828

品牌: 万代半导体

封装: 8-SOIC N-CH 60V 4.5A

功能相似

N沟道,60V,4.5A,56mΩ@10V

IRF7341和AO4828的区别