IDH12G65C5XKSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220

IDH12G65C5, SP000821244

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220

艾睿:
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

安富利:
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin TO-220 Tube

富昌:
IDH12G65C5 系列 650V 12A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基二极管-PG-TO-220-2

Chip1Stop:
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

TME:
Diode: Schottky rectifying; 650V; 12A; 97A; CoolSiC™ 5G, SiC

Verical:
Diode Schottky 650V 12A 2-Pin2+Tab TO-220 Tube

IDH12G65C5XKSA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 104 W

负载电流 12 A

正向电压 1.7V @12A

耗散功率 104000 mW

反向恢复时间 0 ns

正向电流 12000 mA

正向电流Max 12 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 175 ℃

耗散功率Max 104000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDH12G65C5XKSA1引脚图与封装图

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IDH12G65C5XKSA1	Infineon 英飞凌	二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-220	搜索库存