IDL12G65C5XUMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

碳化硅肖特基 650 V 12A（DC）表面贴装型 PG-VSON-4

得捷:
DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

艾睿:
Diode Schottky 650V 12A

安富利:
Diode Schottky 650V 12A 4-Pin VSON T/R

富昌:
IDL12G65C5 系列 650 V 12 A 第5代 thinQ!™ SiC 肖特基二极管-PG-VSON-4

TME:
Diode: Schottky rectifying; SMD; 650V; 12A; 138W; PG-VSON-4

IDL12G65C5XUMA1中文资料参数规格

技术参数

额定功率 138 W

负载电流 12 A

正向电压 1.7V @12A

反向恢复时间 0 ns

正向电流Max 12 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 138000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 PG-VSON-4

外形尺寸

封装 PG-VSON-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IDL12G65C5XUMA1引脚图与封装图

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