IXFV96N15P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFV96N15P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 24 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 480 W
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
连续漏极电流Ids 96A
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 3500pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 4.7 mm
高度 15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFV96N15P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFV96N15P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFV96N15P | IXYS Semiconductor | PLUS N-CH 150V 96A | 搜索库存 |
替代型号IXFV96N15P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFV96N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 150V 96A | 当前型号 | PLUS N-CH 150V 96A | 当前型号 |
| 型号： IXTT96N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 | 类似代替 | N沟道 150V 96A | IXFV96N15P和IXTT96N15P的区别 |
| 型号： IXTQ96N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO N-CH 150V 96A | 功能相似 | TO-3P N-CH 150V 96A | IXFV96N15P和IXTQ96N15P的区别 |
| 型号： IXFH96N15P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFV96N15P和IXFH96N15P的区别 |