
额定电压DC 600 V
额定电流 70.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 200000 mW
产品系列 IRG4PC50S
上升时间 30.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IRG4PC50SPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IRG4PC50SPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-247-3 600V 70A 200000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AC Tube | 当前型号 | |
型号: STGW45HF60WD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247-3 250000mW | 功能相似 | IGBT 分立,STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IRG4PC50SPBF和STGW45HF60WD的区别 | |
型号: STGW35NB60SD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 600V 35A 200000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | IRG4PC50SPBF和STGW35NB60SD的区别 | |
型号: STGW40NC60WD 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 600V 40A 250000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STGW40NC60WD 单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚 | IRG4PC50SPBF和STGW40NC60WD的区别 |